Si hace un par de días veías en oZeros el lanzamiento de Haswell-E, que incluía los nuevos módulos DDR4, y pensabas que ya no verías más cambios en cuanto a memorias RAM por un buen periodo de tiempo, te contamos que la evolución de DDR4 está a la vuelta de la esquina. Módulos DDR4 “3D” son el futuro y Samsung ya comienza a producirlos.

DDR4 es la evolución de DDR3 con chips más veloces y consumiendo menos, pero el gran problema sigue siendo la capacidad de GB que se pueden incluir. Si bien, al igual que los procesadores, reduciendo su tamaño se puede incluir más capacidad, esto se torna cada vez más costoso de fabricar. Hoy DDR4 no es lo más barato del mercado y ya su tecnología en si es cara de producir.  Por ello, las mentes ingeniosas han apostado por una nueva tecnología de apilamiento en vertical de memorias RAM, interconectadas entre si, y llamadas “3D TSV” (through silicon via). Una tecnología muy parecida a lo que fabricantes como NVIDIA esperan introducir en sus próximas gráficas de nueva generación.

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Esta nueva tecnología 3D permite apilar chips, con tal de aumentar la capacidad de los módulos sin hacerlos más costos, aumentando al doble su rendimiento y consumiendo la mitad. Con esto se pueden lograr saltos impresionantes y pasaremos de tener módulos de 32 GB DDR4, en un proceso normal en 20 nm, a módulos de 64 GB DDR4 en los mismos 20 nm y a 2133 MHz. Samsung será el primero en producir estos módulos.

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Este tipo de memorias tendrán un gran uso en servidores, los cuales requieren grandes capacidades en memoria RAM para aumentar su rendimiento, pero con el pasar del tiempo esta tecnología será llevada al mercado de consumo desktop, donde podremos tener configuraciones de 256 GB en 4 módulos de memorias DDR4 quad channel en nuestro sistema.

Esperamos saber de estas memorias como producto final a fines de año o principios del próximo, pero Samsung ya se adelanta a fabricantes como Micron, quienes también están desarrollando esta nueva tecnología.

Fuente: pcworld