IBM desarrolla memoria "instantánea"

[Feño]

Bueno, decir "instantánea" es solo una exageración, pero de todas formas la memoria es 100 veces más rápida que la memoria flash actual. ¡Increíble!

En aras de su 100º aniversario, IBM ha desarrollado esta increíble memoria, que corresponde a un tipo especial de memoria de cambio de fase (Phase Change Memory; o PCM por su sigla en inglés). Como mencionamos, tiene tasas de lectura/escritura 100 veces más rápidas que la memoria flash convencional, pero no todo termina aquí, ya que además ofrece millones de ciclos de escritura antes de "morir", al contrario de flash que solo ofrece miles de ciclos, y como si fuera poco, es lo suficientemente barata como para ser usada en cualquier dispositivo, ya sea desde discos para servidores hasta teléfonos móviles.

Básicamente este tipo de memoria se basa en una aleación que puede cambiar a distintos estados físicos a través de impulsos eléctricos controlados, tecnología que en un principio sufría de problemas, como por ejemplo, la tendencia a producirse errores de lectura con el paso el tiempo, pero que sin embargo IBM fue capaz de corregir. Además, en un principio cada celda era capaz de almacenar un solo bit de información, pero gracias al I+D de IBM ahora se ha aumentado el monto a 4 bits por celda, lo que lleva a mayor densidad de información. Si quieres interiorizarte más en esta nueva tecnología, te invitamos a leer el press release de IBM.

Fuente: IBM y engadget

[Anunnaki]

buenisima info, seria bueno que se utilizara en celulares ya que de por si estos son muy lentos limitados por la velocidad de lectura de su memoria flash

saludos!